Samsung 發表 UFS 5.0 儲存晶片　速度達 10.8GB/s、能效提升逾四成-ePrice.HK

根據 Samsung 公布的資料，採用 UFS 5.0 標準的儲存晶片最高頻寬可達 10.8GB/s，順序讀取速度最高同樣為 10.8GB/s，順序寫入速度則達 9.5GB/s。Samsung 指出，相比 UFS 4.1，UFS 5.0 的讀寫效能提升超過兩倍，可更快處理大型語言模型（LLM）及生成式 AI 應用所需的大量資料。

除了效能提升，Samsung 亦加強 UFS 5.0 儲存晶片的能效表現。新產品導入 Clock Gating（時鐘閘控）及 Multi-voltage（多電壓）等技術，相比 UFS 4.1 能效提升超過 40%。在傳輸相同資料量時，UFS 5.0 可減少耗電，有助延長流動裝置續航力。

封裝設計方面，UFS 5.0 尺寸縮小至 7.5mm × 13mm × 0.9mm，比上一代減少約 16.7%。更細的封裝可提高機身內部空間利用率，令手機、智能手錶及 XR 裝置在設計上有更大彈性。

Samsung UFS 5.0 儲存晶片將於今年第四季開始量產，最高容量可達 1TB。未來這款晶片會逐步應用於旗艦智能手機、XR 頭戴裝置及 AI 穿戴產品。若無意外，Samsung 亦有機會在自家新一代旗艦 Galaxy S27 系列引入 UFS 5.0，而其他品牌亦可能會跟進，令 UFS 5.0 成為未來旗艦手機的新標準。