韓國首爾中央地檢署情報技術犯罪調查部於 2025 年 12 月 23 日宣布起訴 10 名前 Samsung 員工。他們涉嫌將 Samsung 10nm 級 DRAM 核心技術外洩至中國 ChangXin Memory Technologies (CXMT)。CXMT 藉此技術奠定基礎並推進高頻寬記憶體 (HBM) 開發。
韓檢署指一名前 Samsung 主要研究員於 2016 年轉往 CXMT 時手寫抄錄 10nm 級 DRAM 製程資訊達數百步驟。CXMT 透過此技術於 2023 年實現中國首個 10nm 級 DRAM 量產。
CXMT 獲中國政府投資 2.6 萬億韓圜（約港幣 1,512 億元）支援。韓檢署估計此事件令 Samsung 及韓國半導體業損失至少數十萬億韓圜（數萬億港元）。
另一涉案人士透過 SK hynix 相關公司外洩 SK hynix 主要技術。CXMT 近期推出 LPDDR5X 及 DDR5 記憶體挑戰 Samsung 及 SK hynix 市場佔有率。去年 Samsung 銷售額已因競爭下滑 5 萬億韓圜（約港幣 2,910 億元）。
資料來源：THE ELEC Neowin