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發佈日期
2026-07-13
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閱讀時間
7分鐘
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全球人工智能基建擴張正將記憶體供應鏈推向極限。SK 海力士行政總裁郭魯正接受路透訪問時警告，2027 年將是記憶體產業史上供應最緊絀一年，客戶需求增長速度遠超公司產能擴充，預期供不應求情況將持續至 2030 年後。訪問於 SK 海力士在 Nasdaq 掛牌前後進行，反映 AI 熱潮帶來結構性缺貨危機，並非短期波動。
▲ SK 海力士行政總裁郭魯說，2027 年將是記憶體產業史上供應最緊絀一年 （太報）
三大巨頭齊聲示警 HBM 產能被 AI 訂單掃清
郭魯正明言客戶需求持續上升，但公司產能有限，即使積極擴產，客戶需求仍會在 2030 年後繼續高於供應能力。三星集團主席崔泰源於今年 6 月 Computex 亦向傳媒表明，記憶體瓶頸預期將持續至 2030 年，公司正全速擴充產能，並計劃未來 5 年內將晶圓產能增倍。美光行政總裁 Sanjay Mehrotra 就指出更嚴峻現實，目前產能只能滿足核心客戶約一半至三分之二需求，正迫使科技巨頭簽署橫跨多年戰略客戶協議，鎖定未來晶片供應。
市場分析同樣支持缺貨判斷。瑞銀於 7 月初上調 DRAM 合約價格預測，並維持產業供應短缺將持續至 2028 年判斷，預期 2027 年需求增長與供應增長差距將擴大至 17%。NVIDIA 行政總裁黃仁勳今年 6 月訪問首爾時亦表示，AI 記憶體短缺將持續數年，並形容整條供應鏈由晶圓到封裝、矽光子技術全部供不應求，其後 NVIDIA 與 SK 海力士正式宣布多年期戰略合作，共同開發下一代 AI 記憶體技術。
美光加碼逾 2,500 億美元 押注美國本土製造
美光於 7 月 9 日宣布，計劃到 2035 年在美國投資逾 2,500 億美元（約港幣 19,500 億元），較去年 6 月公布 2,000 億美元（約港幣 15,600 億元）計劃大幅加碼，原因是 AI 時代記憶體晶片需求急升，加上總統特朗普推動半導體本土製造政策。SK 海力士方面，已拍板在美國印第安納州西拉法葉市斥資約 40 億美元（約港幣 312 億元）興建先進封裝廠，主力生產 HBM，預計 2028 年下半年投產；同時亦於今年 1 月宣布成立新美國 AI 業務公司，首階段投資至少 100 億美元（約港幣 780 億元）。
至於未來晶圓廠選址，郭魯正透露美國、日本與東南亞均在候選名單之列，惟未有最終決定，選址考量將不再單看政府補貼，而是嚴格評估當地電力、水資源、土地及半導體人才庫，以及長期成本競爭力。
SK 海力士 Nasdaq 上市集資逾 260 億美元
SK 海力士於 7 月 10 日在 Nasdaq 正式掛牌，以 ADR 形式發行 1,779 萬股新股，定價每股 149 美元，實際集資約 265 億美元（約港幣 2,067 億元），是外國企業在美史上最大規模首次公開發售。此次為第二上市，主要上市地位仍在首爾，公司股價過去 12 個月一度累升逾 7 倍。
不過受市場對 AI 熱潮可持續性存疑，加上 Meta 傳出將建立雲端業務出售過剩 AI 運算力，SK 海力士股價自 6 月底高位至 7 月初一度大幅回落約 25%，三星電子同期亦一度重挫逾 9%，反映市場對 AI 泡沫化憂慮升溫。SK 海力士 2025 年全年營運利潤創下 47.2 萬億韓元（約港幣 2,618 億元）歷史新高，按年增逾一倍，首次超越三星電子，市場預期今年第二季利潤將進一步大幅攀升。
HBM 排擠效應 消費級記憶體漲價恐難避免
三大記憶體廠罕見同步示警，揭示一個對普通消費者不友善市場結構轉變 —— AI 正在排擠一般電腦與手機記憶體產能。HBM 晶片採用複雜矽穿孔（TSV）垂直堆疊技術，生產難度高、良率低，每 GB 所需矽晶圓面積約為標準 DDR 記憶體三倍。當 NVIDIA、AMD 及 Google 等大廠以高價搶佔 HBM 產能時，記憶體原廠自然傾向將原本生產消費級 PC 記憶體及車用記憶體產線，轉為生產利潤更高 HBM。
市場數據已反映這場「零和遊戲」代價。有報道指出，32GB DDR5-6000 記憶體套裝街價在 2026 年 4 月已升至約 309 歐元（約港幣 2,849 元）水平，同時多份分析指 DDR5 價格由 2025 年下半年起累計升幅逾 3 至 4 倍。分析預期正常化最快要等 HBM4 產能大規模上線。聯想、惠普、華碩等 PC 品牌未來數年將面臨更嚴峻採購成本，消費者升級手提電腦或 PCIe SSD，恐須為這場 AI 算力軍備競賽付出更昂貴代價。
資料來源：Reuters