美光警告記憶體荒或延至 2028 年後 HBM 合約價明年大幅上調

高性能記憶體模組展示圖.

Micron 警告全球記憶體與儲存供應短缺在 2027 年及 2028 年可能比 2026 年更嚴重，現時仍無法確定供求何時恢復平衡。公司大部分 2027 年 HBM 供應已經售出，客戶簽訂新合約時須支付遠高於 2026 年水平的價格。

2028 年後仍可能短缺

Micron 行政總裁 Sanjay Mehrotra 在 2026 財政年度第四季業績會議上表示，2027 年與 2028 年需求均會超過供應，整體市場只會進一步收緊。即使業界增加無塵室和晶圓廠產能，公司仍未能預計供求恢復平衡的時間，意味短缺可能延續至 2028 年後。

Micron 已就絕大部分 2027 年 HBM 位元供應達成協議，合約價格按年顯著上升。公司預計超過 75% 整體產量已被買家鎖定，客戶洽商重點亦開始轉向 2028 年供應配額。

大型 AI 模型需要處理更長內容、更多參數及更高同步請求量，帶動 HBM、伺服器 DRAM 和企業級 SSD 需求同步增加。Micron 預計業界 HBM 位元出貨增長至 2028 年仍會快過一般 DRAM，令 HBM 佔用更多先進製程及晶圓產能。

HBM 需求增加亦會排擠普通記憶體產能。TrendForce 估計 HBM 晶圓投入比例將由 2026 年約 22% 增至 2027 年約 30%，加上新一代 HBM 晶粒面積較大，晶圓投入增加未必能帶來同比例位元產量增長。

Micron 預計業界 DRAM 位元出貨量在 2027 年及 2028 年每年增長約 20% 低段，NAND 則增長約 20% 中段，但需求增幅仍會超越新增供應，兩類產品都可能繼續供不應求。

Micron 位於美國 Idaho 州的 ID1 廠預計 2027 年中開始生產晶圓，ID2 廠則預計 2028 年底投產。日本 DRAM 廠擴建部分與新加坡 NAND 廠同樣預計 2028 年下半年開始生產，新加坡 HBM 先進封裝設施則計劃在 2027 年初投入運作。

新晶圓廠投產後仍需數季逐步提升良率與產量，無法立即大幅改善市場供應。因此 Micron 預計新增產能要到投產數季後，才能帶來較明顯貢獻。

TrendForce 預計 2026 年第四季一般 DRAM 合約價按季上升 10% 至 15%，NAND Flash 合約價則上升 15% 至 20%。升幅雖然放緩但市場依然供不應求，企業級 SSD 更因雲端服務商擴建 AI 推論基建而面對較大加價壓力。

記憶體廠商正把先進製程產能優先投放於高效能伺服器產品，令 PC 與智能電話記憶體配額收緊。TrendForce 指出，如果產能轉移持續，2027 年 PC DRAM 供應可能進一步減少，手機需求疲弱亦未必足以阻止價格上升。

不過 TrendForce 在 2026 年 7 月曾預計 NAND 供應可能在 2027 年下半年隨新產能投產而轉鬆，與 Micron 最新預測存在差異。市場對 DRAM 持續緊張較有共識，但 NAND 中期供求仍取決於新廠增產速度及消費產品需求。

TrendForce 發現部分雲端服務商和裝置生產商自 2026 年上半年起，把部分伺服器由 96GB 或 128GB 記憶體模組改用 32GB 或 64GB 模組。長期供應合約可限制部分價格升幅，未有簽訂合約或需要額外採購的企業則要承受較大成本壓力。

Counterpoint Research 建議企業重新評估裝置更新次序，一般辦公室 PC 和檔案伺服器可考慮延長使用期，核心系統及工程工作站則要兼顧生產力、軟件支援和故障風險。轉用雲端服務亦未必能避過加價，服務商最終可能將硬件與電力成本轉嫁予客戶。

企業亦難以單靠 DDR4 節省開支，記憶體廠商正把產能轉向 HBM 和 DDR5，令舊世代產品同樣不再便宜或供應充裕。企業採購新硬件前可先檢查虛擬機記憶體配置、AI 模型量化和工作負載批次，減少現有系統浪費。

Micron 預計自動駕駛汽車及人形機械人等實體 AI 應用，會在 2020 年代末進一步推高需求。Level 4 或以上自動駕駛汽車一般需要逾 200GB 記憶體及數 TB 儲存空間，人形機械人預計需要相若容量，部分相關客戶已開始測試下一代產品樣本。

資料來源：Micron、TrendForce、Computerworld、The Register